HMDS烘箱在第三代半導(dǎo)體材料中的工藝

  第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。其中又以SiC和GaN為最核心的材料。然而這些新材料襯底在光刻模塊中的標(biāo)準(zhǔn)步驟是：脫水烘烤、HMDS prime、抗蝕劑旋轉(zhuǎn)/噴涂、軟烘烤、對準(zhǔn)、曝光、曝光后烘烤、顯影硬烘烤和除渣。

  HMDS prime - 在晶圓表面涂上附著力促進(jìn)劑。附著力促進(jìn)劑用于與晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并用有機(jī)官能團(tuán)取代 -OH 基團(tuán)，與羥基不同，該官能團(tuán)對光刻膠具有良好的附著力。硅烷通常用于此目的，最常見的是六甲基二硅烷 (HMDS)。

  施加粘合促進(jìn)劑的優(yōu)選方法是將基材置于 HMDS 蒸汽中，通常是在升高的溫度和降低的壓力下。這允許在沒有過多 HMDS 沉積的情況下對基材進(jìn)行良好的涂覆，并且更高的溫度會(huì)導(dǎo)致與硅烷醇基團(tuán)的反應(yīng)好。

  文中所要求的HMDS蒸汽及升高溫度和降低壓力的制作工藝，可在HMDS烘箱中完成，無需獨(dú)立操作，一鍵作業(yè)。

HMDS烘箱技術(shù)規(guī)格：

內(nèi)腔尺寸：300×300×300、450×450×450（mm）（可定制）

材質(zhì)：內(nèi)箱采用 316L 醫(yī)用級(jí)不銹鋼

溫度范圍：RT+30-200℃

真空度：≤1torr

電源及總功率：AC 220V±10% / 50HZ，總功率約2.8KW

控制儀表：人機(jī)界面，一鍵運(yùn)行

擱板層數(shù)：2 層

HMDS控制：可控制HMDS添加量

真空泵：無油渦旋真空泵

HMDS藥液泄漏報(bào)警提示功能

HMDS低液位報(bào)警提示功能

工藝數(shù)據(jù)記錄功能

藥液管道預(yù)熱功能

程序鎖定保護(hù)等功能