HMDS與硅片反應機理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。

產(chǎn)品型號：HMDS-90
廠商性質：生產(chǎn)廠家
更新時間：2025-09-15
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產(chǎn)品詳情

HMDS真空箱,HMDS系統(tǒng)真空烘箱技術參數(shù)：

電源電壓：AC 220V±10%/50Hz±2%

輸入功率：2400W

控溫范圍：室溫+10℃-250℃

溫度分辨率：0.1℃

溫度波動度：±0.5℃

達到真空度：133Pa

容積：90L

工作室尺寸（mm）：450*450*450

HMDS真空箱,HMDS系統(tǒng)真空烘箱的一般工作流程：

首先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內(nèi)真牢度達到某一高真空度后，開始充人氮氣，充到達到某低真空度后，冉次進行抽真空、充入氮氣的過程，到達設定的充入氮氣次數(shù)后，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達設定時間后，停止充入HMDS藥液，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個作業(yè)過程。HMDS與硅片反應機理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續(xù)到空間位阻（*基硅烷基較大）阻止其進一步反應。

尾氣排放等：多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集管道時需做專門處理。

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HMDS與硅片反應機理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。

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